聚焦集成电路先进制程与成熟节点，提供引线键合（Wire Bonding）、倒装焊（Flip Chip）、系统级封装（SiP）以及8至12英寸晶圆测试（CP）与成品测试（FT）。建立全自动化三温测试环境与微米级失效分析实验室，全力保障量产阶段高良率与零缺陷可靠性交付。
集成电路封测车间严格配置千级与百级无尘洁净室环境，具备完备的温湿度动态恒定控制与静电放电（ESD）主动抑制网络。生产线引进高精度自动划片机、高速多引线打线机、倒装贴片机及大面积模压成型系统，能够稳定满足微纳级J9的高精度工程需求。
在成品测试环节，车间配置高性能自动化测试设备（ATE）搭配自动化机械手 Handler，支持高并测数与射频/混合信号高频宽带测试。全面推行在线 SPC 统计过程控制与 MES 晶圆级条码追溯体系，确保每颗芯片从晶圆入料、划片、组装到最终成品测试数据全链路可溯。
覆盖从结构仿真、基板布线设计、封装工艺组装到复杂 ATE 向量开发与物理失效分析的全栈能力。
支持金线、铜线、银合金线及高纯铝线工艺，最小键合间距达35μm，多层叠焊与超长跨度弧形精准控制，保障低寄生电感与稳定电气互联。
采用微凸块（Micro Bump）与底部填充胶（Underfill）工艺，大幅缩短信号互联路径，全面降低热阻并提升大电流承载能力与高频响应表现。
实现数字逻辑、射频前端与无源器件在单基板内的高密度整合，提供完备的电磁屏蔽涂覆（EMI Shielding）与系统级热仿真布局方案。
支持 -40℃、常温 25℃ 至高温 150℃ 的全温域连续测试，配合定制测试治具与自动化分选机械手，确保极限工况下电气性能无损筛选。
具备高温动态老化（HTOL）、高压蒸煮（HAST）及温度循环（TC）验证环境；配备高分辨 X-Ray、超声波探伤（C-SAM）与金相切片显微镜。
执行 AEC-Q100 Grade 0/1/2 考核准则，从基板打线耐剪切力到树脂气密性进行严苛批次抽样，支撑严苛车载与工业环境的长效服役周期。
覆盖高频射频、超薄便携、大算力处理芯片等不同功耗与物理尺寸封装形态需求。
无引脚表面贴装封装，具有极低的封装高度和优异的散热性能，外露热焊盘可直接焊接到PCB实现快速热传导。
球栅阵列封装技术，支持高引脚密度与多层基板走线，具有低寄生容抗与优异的信号完整性，适合高频高速计算芯片。
支持多裸芯片（Bare Die）与被动元器件一体化成型，集成微型屏蔽罩，缩短研发周期并显著缩减终端PCB板占用面积。
依托严格的过程质量工程控制准则，执行严于常规消费电子的检验容差，结合微区材料学表征与极限热电应力加载，在量产前彻底剔除潜在早期失效风险。
全角度透视打线金丝下垂、气孔率、倒装焊微球空洞率（Voiding < 5%），精准拦截隐藏焊接缺陷。
高频超声换能器聚焦芯片表面、引线框架与塑封料界面，精确判定是否存在纳米级剥离与湿气渗入空洞。
严格遵循 MIL-STD-883 方法，执行金球推力与线弧拉力破坏性统计抽样，确保振动冲击环境结构牢固。
气相/液相 -55℃ 至 125℃ 极端温差快速转换，历经 1000 次循环后验证导通阻抗变化量，杜绝热失配开裂。
针对不同行业对于温宽、电磁抗扰度、功耗及尺寸的差异化指标，输出契合的封测定制工艺。
服务于车规级 32位 MCU、BMS 电池采集芯片与电机驱动半桥，满足 Grade 1 严苛工作温区与耐震动指标。
面向低功耗蓝牙、LoRa、Sub-1G 及工业现场总线隔离芯片，提供优良的射频低损耗封装与微型化贴片。
针对边缘端 AI 推理芯片、机器视觉 SoC，保障多层高密度互联信号完整性与背面金属散热片结合牢靠。
适用于 DC-DC、高压 LDO、栅极驱动芯片等，优化粗铝线打线与倒装铜柱工艺，实现超低导通内阻与热阻。
来自芯片研发架构师、测试工程总监与供应链负责人的实际交付反馈。
“在我们的车规级 MCU 新方案打样过程中，工程团队提供了及时的 DFM 基板建议与打线弧高调校，在短短72小时内完成了首批工程样品出货，三温测试数据的一致性表现非常优异。”
“针对射频 Wi-Fi 6 模块的 SiP 系统级封装，其精密微凸块工艺和底部填充胶流变控制非常精准，切片分析完全没有微裂纹与空洞，帮助我们顺利攻克了高频杂散与散热瓶颈。”
“量产排产期间的产能保障机制非常到位。CP 晶圆探针测试与 FT 成品测试的并测机台利用率极高，批次间良品率始终维持在 99.8% 以上，极大降低了我们的综合出货损耗。”
分享制程演进、ATE向量开发策略与失效机理分析总结。
探讨在 60μm 以下细间距凸块阵列下，毛细流动底部填充胶（CUF）的粘度梯度、填料粒径级配对空洞率控制的关键影响机制。
阐述在 Chroma 与 Advantest 测试平台上实施 16-Site 乃至 32-Site 并测时的信号完整性设计准则及自适应温控优化方案。
结合高温存储（HTS）实验，利用聚焦离子束（FIB）与 TEM 深度分析 Cu-Al 金属间化合物相变过程中微裂纹扩展趋势。
解答打样起订量、机台配置、引线工艺与车规认证相关疑问。
提交您的芯片晶圆类型、封装形式与测试标准，工程专家将在 2 小时内响应并评估工艺可行性与测试机台资源匹配方案。